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台媒:台积电2nm制程获重大突破

2020-9-23 13:54| 发布者: 炼数成金_小数| 查看: 21161| 评论: 0|来自: 经济日报

摘要: 据台媒经济日报透露,台积电2纳米制程研发获重大突破。供应链透露,有别于3纳米与5纳米采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,台积电2纳米改采全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,研发进度超前,业界看好2023年下 ...
据台媒经济日报透露,台积电2纳米制程研发获重大突破。供应链透露,有别于3纳米与5纳米采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,台积电2纳米改采全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,研发进度超前,业界看好2023年下半年风险性试产良率即可达九成,助攻未来持续拿下苹果、英伟达等大厂先进制程大单,狠甩三星。

半导体制程一路微缩,面临物理极限,业界原忧心不利摩尔定律延续,也就是过往每18个月推进一个制程时代的脚步受阻,使得台积电等半导体大厂先进制程发展受影响。

三星预计年底才投入5纳米制程,落后台积。随着台积电在2纳米新制程节点有重大突破,宣示台积电将可延续摩尔定律发展,更确定未来朝1纳米推进可能性大增,进一步扩大与三星的差距。台积电向来不对订单等动态置评,且迄今仍低调未对外透露2纳米制程细节,仅表示2纳米将是全新架构。

业界人士指出,2020年台湾国际半导体展(SEMICON TAIWAN)将在本周三(23日)登场,台积电董事长刘德音受邀进行主题演讲,市场聚焦台积电先进制程研发对人工智慧(AI)、第五代行动通讯(5G)推动影响,并关注刘德音释出的台积电先进制程研发近况。

据悉,台积电去年成立2纳米专案研发团队,寻找可行路径进行开发,考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,2纳米采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,在极紫外光(EUV)微显影技术提升,使台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术更为成熟,良率提升进度较预期顺利。

台积电总裁魏哲家日前于玉山科技协会晚宴专讲时透露,台积电制程每前进一个世代,客户产品速度效能增加30%至40%,功耗可以降低20%至30%。

供应链认为,以台积电2纳米目前研发进度研判,2023年下半年可望进入风险性试产,2024年正式量产。台积电先前揭示2纳米研发生产将落脚新竹宝山,规划P1到P4四个超大型晶圆厂,占地90多公顷。

业界认为,台积电2纳米良率及效能值得期待,推出即可望获苹果、英伟达、高通、超微等大客户采用,陆续转到2纳米投片。尤其英伟达收购安谋(ARM)后,朝超级电脑、超大规模资料中心等高速运算前进,未来将更仰赖与台积电合作。

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